我們將重點關(guān)注在光通信行業(yè)廣泛使用的ALN陶瓷。從器件基板、薄膜電路、散熱基板到陶瓷封裝，我們隨處可見。

ALN的表演特點

氮化鋁陶瓷具有非常高的熱導率，在陶瓷材料中僅次于碳化硅和氧化鈹。目前，中國的平均均水平為150瓦/米卡，國外為180~250瓦/米卡，是氧化鋁陶瓷導熱系數(shù)的7~8倍。其機械強度和介電強度優(yōu)于氧化鋁陶瓷，膨脹系數(shù)和介電性能分別與硅和氧化鋁陶瓷相近。因此，人們希望用高熱導率的氮化鋁陶瓷代替氧化鈹或氧化鋁陶瓷作為高密度、高性能電子封裝的陶瓷基板材料。

ALN陶瓷基材的制備

形成陶瓷基板的方法主要有三種：壓模法、干壓法和流延法。

流延類似于蛋餅涂布。厚度可以通過控制刮刀和基帶之間的間隙來控制，該間隙可以薄至10um以下，厚至1mm以上。這種方法適用于我們的陶瓷電路基板。

干壓方法類似于金屬粉末冶金，放入模具中壓鑄，適用于大型件;

壓縮成型是注射成型?？梢灾圃煲恍┬螤钌晕碗s的結(jié)構(gòu)。例如，陶瓷插芯是注射成型的。

目前，制備氮化鋁粉末【氮化鋁陶瓷】的方法有很多，包括鋁粉直接氮化法、氧化鋁碳熱還原法、溶膠法、自蔓延燃燒法、等離子合成法、化學氣相沉積法等。

1、鋁粉直接氮化法

ALN+N2→2ALN將鋁粉放入通有氮氣與氨氣的反應的反應爐中加熱到600℃開始反應。我們可以合成大量純度更高的ALN粉末，目前可以用這種方法進行大規(guī)模生產(chǎn)。然而，這種方法通常難以獲得具有細顆粒和均勻粒度的氮化鋁粉末均，這通常需要后處理。此外，鋁顆粒表面氮化后形成的ALN層會阻礙氮向顆粒中心的擴散，因此轉(zhuǎn)化率是該方法的一個重要問題。

2、氧化鋁的碳熱還原法

Al203+3C+N2→2AlN+3CO這種方法目前運用在工業(yè)生產(chǎn)中運用最為廣泛，對其研究進行的比較深入。

在本發(fā)明制備的氮化鋁粉末中，經(jīng)常加入氧化鈣、氟化鈣、氧化釔等作為催化劑，加入氟化鈣可以有效降低活化能，提高反應速率。制備的氮化鋁粉末純度高，成型燒結(jié)性能好，但合成溫度高，反應時間長，粉末粒度大。

這里應該注意的是，如果有一個小伙伴知道金線鍵合工藝，很明顯，具有明顯晶粒的氮化鋁在表面上相對粗糙。如果使用這種類型的氮化鋁濺射薄膜金屬，在引線鍵合，尤其是球鍵合過程中不容易鍵合，并且容易發(fā)生脫焊。

對于散熱器件的COC和BOX封裝技術(shù)，佳日豐泰目前可以做氮化鋁陶瓷的代工生產(chǎn)，并推出高速BOX有源器件封裝等一系列解決方案。TFC具有高精度焊接和金線焊接能力。自動鍵合設(shè)備的精度可以達到±0.5um，還可以提供一種穩(wěn)定的AWG/TFF光學器件方案。同時，TFC擁有高精度加工和回收設(shè)計和組裝能力。TFC還擁有各種類型的自由空間隔離器設(shè)計、隔離器芯片與套圈的連接以及光學模擬和分析能力。TFC可以根據(jù)客戶要求定制各種類型的組件鏡片產(chǎn)品的設(shè)計和加工。如果你有意向與小伙伴合作，也可以跟我們談。