一般來說，發(fā)光二極管的發(fā)光效率和使用壽命會(huì)隨著結(jié)溫的增加而降低。當(dāng)結(jié)溫達(dá)到125時(shí)，發(fā)光二極管甚至?xí)?。為了使發(fā)光二極管的結(jié)溫保持在較低的溫度，需要采用高導(dǎo)熱低熱阻的散熱基板材料和合理的封裝工藝來降低發(fā)光二極管的整體封裝熱阻。

氮化鋁陶瓷具有高導(dǎo)熱、高強(qiáng)度、高電阻率、低密度、低介電常數(shù)、無毒、熱膨脹系數(shù)與硅匹配等優(yōu)異性能。它將逐漸取代傳統(tǒng)的大功率發(fā)光二極管基板材料，成為未來最有前途的陶瓷基板材料。

氮化鋁陶瓷工業(yè)的基本情況

氮化鋁陶瓷是以氮化鋁為主要晶相的陶瓷。它是一種綜合性能優(yōu)異的新型陶瓷材料，被認(rèn)為是封裝新一代半導(dǎo)體和電子器件的理想材料。氮化鋁陶瓷具有優(yōu)異的綜合性能，理論熱導(dǎo)率為320瓦/(米)，優(yōu)異的熱導(dǎo)率，可靠的電絕緣性，低介電常數(shù)和損耗，無毒，熱膨脹系數(shù)與硅匹配。

工業(yè)應(yīng)用情況

(1)氮化鋁粉末純度高、粒徑小、活性高，是制造高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基板的主要原料。

(2)氮化鋁陶瓷基板具有高熱導(dǎo)率、低膨脹系數(shù)、高強(qiáng)度、耐高溫、耐化學(xué)腐蝕、高電阻率和低介電損耗，是大規(guī)模集成電路的理想散熱基板和封裝材料。

(3)氮化鋁具有比傳統(tǒng)氧化鋁更高的硬度，是一種新型耐磨陶瓷材料。然而，由于其高成本，氮化鋁只能用于嚴(yán)重磨損的零件。

(4)利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機(jī)耐蝕部件，利用其光學(xué)性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。

(5)氮化鋁耐熱，耐熔融金屬腐蝕，對(duì)酸穩(wěn)定，但在堿性溶液中容易腐蝕。當(dāng)暴露在潮濕空氣中時(shí)，AIN新生表面將反應(yīng)形成極薄的氧化膜。利用這一特性，它可用作坩堝和鑄模材料，用于熔化鋁、銅、銀、鉛和其他金屬。氮化鋁陶瓷具有良好的金屬化性能，可替代電子工業(yè)中有毒的氧化鈹陶瓷。